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Compact modeling of the non-linear post-breakdown current in thin gate oxides using the generalized diode equation.
Autores:
Enrique Alberto Miranda
Localización:
Microelectronics reliability
,
ISSN
0026-2714,
Vol. 48, Nº. 8-9, 2008
,
págs.
1604-1607
Idioma:
inglés
Texto completo no disponible
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