Behaviour of 1.2 kV SiC JBS diodes under repetitive high power stress.

• Autores: V. Banu, P. Broselard, Xavier Jordá Sanuy, Josep Montserrat, P. Godignon, J. Millán
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1444-1448
• Idioma: inglés
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