Simulation of migration effects in nanoscaled copper metallizations.

• Autores: K. Weide-Zaage, F. Kashanchi, O. Aubel
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1398-1402
• Idioma: inglés
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