Study of copper drift during TDDB of intermetal dielectrics by using fully passivated MOS capacitors as test vehicle.

• Autores: K. Croes, G. Cannatá, L. Zhao, ZS. Tokei
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1384-1387
• Idioma: inglés
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