Experimental evidence of �latent gate oxide damages� in medium voltage power MOSFET as a result of heavy ions exposure.

• Autores: G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1306-1309
• Idioma: inglés
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