InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor and RF power amplifier reliability.

• Autores: X. Liu, J.S. Yuan, J.J. Liou
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1212-1215
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)