Impact of inside spacer process on fully self-aligned 250 GHz SiGe:C HBTs reliability performances: a-Si vs. nitride.

• Autores: M. Diop, N. Revil, M. Marin, F Monsieur, P. Chevalier, G. Ghibaudo
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1198-1201
• Idioma: inglés
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