Influence of different carrier gases on the properties of ZnO films grown by MOCVD

• Autores: Jinzhong Wang, Elangovan Elamurugu, Vicent Sallet, Amiri Gaële, François Jomard, Rodrigo Martins, Elvira Fortunato
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 47, Nº. 4, 2008, págs. 242-244
• Idioma: inglés
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• Resumen

  • Se depositaron películas de ZnO sobre sustratos de zafiro (001) utilizando dietil zinc y butanol terciario como precursores. La influencia de los diferentes gases portadores (H2 y He) sobre las propiedades se estudió mediante la caracterización estructural (XRD), microestructural (SEM) y composicional (SIMS). La intensidad del pico de difracción más importante del plano (002) del ZnO aumentó en dos órdenes de magnitud cuando se utiliza He como gas portador indicando un incremento significativo de la cristalinidad. La superficie de las muestras crecidas utilizando H2 y He está formada por granos en forma de hoja y de forma esférica respectivamente. El contenido en hidrógeno (H) en la película es mayor cuando se utiliza H2 que cuando se utiliza He, indicando que la cantidad de hidrógeno está influenciada por el H2 del gas portador. La emisión ultravioleta domina el espectro PL de baja temperatura. La emisión de las películas de ZnO utilizando He muestra mayor calidad óptica y más centros de emisión.