Degradation of n-channel a-Si:H/nc-Si:H bilayer thin-film transistors under DC electrical stress.

• Autores: N. Arpatzanis, A.T. Hatzopoulos, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, F. Templier, M. Oudwan, G. Kamarinos
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 4, 2008, págs. 531-536
• Idioma: inglés
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