Suppression of Ge¿O and Ge¿N bonding at Ge¿HfO2 and Ge¿TiO2 interfaces by deposition onto plasma-nitrided passivated Ge substrates: Integration issues Ge gate stacks into advanced devices.

• Autores: S. Lee, J.P. Long, G. Lucovsky, J.L. Whitten, H. Seo, J. Lüning
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 3, 2008, págs. 364-369
• Idioma: inglés
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