A new model of subthreshold swing for sub-100 nm MOSFETs.

• Autores: L.-A. Yang, C.-L. Yu, Y. Hao
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 3, 2008, págs. 342-347
• Idioma: inglés
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