Assessment of temperature and voltage accelerating factors for 2.3¿3.2 nm SiO2 thin oxides stressed to hard breakdown.

• Autores: D. Pic, D. Goguenheim, J.L. Ogier
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 3, 2008, págs. 335-341
• Idioma: inglés
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