Reservoir effect in SiCN capped copper/SiO2 interconnects.

• Autores: V. Girault, F. Terrier, D. Ney
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 2, 2008, págs. 219-224
• Idioma: inglés
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