Electrical stress effect on RF power characteristics of SiGe hetero-junction bipolar transistors.

• Autores: S.-Y. Huang, K.-M. Chen, G.-W. Huang, C.-C. Hung, W.-S. Liao, C.-Y. Chang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 2, 2008, págs. 193-199
• Idioma: inglés
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