Modeling the sensitivity of CMOS circuits to radiation induced single event transients.

• Autores: G.I. Wirth, M.G. Vieira, E.H. Neto, Fernanda G. L. Kastensmidt
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 1, 2008, págs. 29-36
• Idioma: inglés
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