A threshold voltage model for short-channel MOSFETs taking into account the varying depth of channel depletion layers around the source and drain.

• Autores: S. Baishya, A. Mallik, C.K. Sarkar
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 1, 2008, págs. 17-22
• Idioma: inglés
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