IGBT: mejoras en la conversión de potencia en modo conmutado

• Localización: Mundo electrónico, ISSN 0300-3787, Nº 392, 2007, págs. 56-62
• Idioma: español
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• Resumen

  • El IGBT permite realizar una adecuada conmutación controlada por tensión, al igual que con el MOSFET de potencia, pero sin las limitaciones habituales que son propias de los MOSFET como una elevada resistencia en conducción para dispositivos con elevadas tensiones de ruptura. Esto ha hecho que los IGBT hayan dejado de lado a los MOSFET en algunas aplicaciones de conmutación de potencia, especialmente aquellas que requieren dispositivos que trabajen por encima de 500 V. A medida que ha evolucionado la tecnología IGBT, los diseñadores de dispositivos han introducido mejoras en las prestaciones de conmutación para reducir las pérdidas y dar pie a frecuencias de trabajo más altas. También se han logrado tras mejoras en la resistencia en conducción, haciendo así que los IGBT se hayan convertido en la elección preferida en una creciente variedad de aplicaciones