El control de MOSFET de potencia en fuentes conmutadas de alta corriente

• Autores: Abid Hussain, Martin Burghardt
• Localización: Revista española de electrónica, ISSN 0482-6396, Nº 571, 2002, págs. 62-66
• Idioma: español
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• Resumen

  • Los transistores MOSFET de potencia reúnen una serie de características que los convierten en los dispositivos de conmutación más indicados en las fuentes de alimentación conmutadas (FAC), como su baja resistencia en conducción y su capacidad para trabajar con altas corrientes. De todas formas también presentan algunos retos de diseño adicionales