Effects of width scaling and layout variation on dual damascene copper interconnect electromigration.

• Autores: M.H. Lin, K.P. Chang, K.C. Su, T. Wang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 12, 2007, págs. 2100-2108
• Idioma: inglés
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