Measurement of the transient junction temperature in MOSFET devices under operating conditions.

• Autores: D. Barlini, M. Ciappa, M. Mermet-Guyennet, W. Fichtner
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1707-1712
• Idioma: inglés
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