Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaN¿GaN HEMTs.

• Autores: M. Faqir, G. Verzellesi, F. Fantini, F. Danesin, F. Rampazzo, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Cavallini, A. Castaldini, N. Labat, A. Touboul, C. Dua
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1639-1642
• Idioma: inglés
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