Study of hot-carrier effects on power RF LDMOS device reliability.

• Autores: M. Gares, M.A. Belaïd, H. Maanane, M. Masmoudi, J. Marcon, K. Mourgues, PH. Eudeline
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1394-1399
• Idioma: inglés
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