Oxide reliability below 3 nm for advanced CMOS: Issues, characterization, and solutions.

• Autores: D. Goguenheim, D. Pic, J.L. Ogier
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1322-1329
• Idioma: inglés
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