Switching times variation of power MOSFET devices after electrical stress.

• Autores: R. Habchi, C. Salame, P. Mialhe, A. Khoury
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1296-1299
• Idioma: inglés
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