Improved low frequency noise characteristics of sub-micron MOSFETs with TaSiN/TiN gate on ALD HfO2 dielectric.

• Autores: S.P. Devireddy, B. Min, Z. Çelik-Butler, H.-H. Tseng, P.J. Tobin, A. Zlotnicka
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1228-1232
• Idioma: inglés
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