Comparison between BSIM4.X and HSPICE flicker noise models in NMOS and PMOS transistors in all operating regions.

• Autores: T. Noulis, S. Siskos, G. Sarrabayrouse
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1222-1227
• Idioma: inglés
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