Correlating gate sinking and electrical performance of pseudomorphic high electron mobility transistors.

• Autores: R.A. Berechman, B. Revzin, Y. Shapira
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1202-1207
• Idioma: inglés
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