Characterisation and passivation of interface defects in (1 0 0)-Si/SiO2/HfO2/TiN gate stacks.

• Autores: P.K. Hurley, K. Cherkaoui, S. McDonell, G. Hughes, A.W. Groenland
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1195-1201
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)