Determination of transistor infant failure probability in InGaP/GaAs heterojunction bipolar technology.

• Autores: K.W. Alt, R.E. Yeats, C.P. Hutchinson, D.K. Kuhn, T.S. Low, M. Iwamoto, M.E. Adamski, R.L. Shimon, T.E. Shirley, M. Bonse, F.G. Kellert, D.C. D'Avanzo
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1175-1179
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)