En este trabajo se presentan cálculos de estructura electrónica para obtener las estructuras de mínima energía potencial en cúmulos puros y mixtos de Silicio y Germanio, para tamaño de cúmulos entre 2 y 6 átomos. Además de analizar la estructura electrónica, estudiamos una serie de propiedades físicas y químicas de estos sistemas, de interés para su posible aplicación en Electrónica, entre ellas el calor de formación, potencial de ionización, afinidad electrónica, dureza absoluta, electronegatividad, hibridación, frecuencias vibracionales, estabilidad frente a la fragmentación y energía de disociación de enlace. También se presenta una discusión sobre la evolución de las geometrías de los cúmulos mixtos según aumenta la composición de Germanio en cada cúmulo. Se puede predecir cuales de estos cúmulos, que aún no se detectan experimentalmente, serían los más estables, y aparentemente son aquéllos con 4, o 6 átomos y algunos de nuclearidad igual a 5, como son los cúmulos SiGe4, Si2Ge3, y Si3Ge2.
In this work, electronic structure calculations have been performed to obtain the minimum potential energy structures of pure and mixed silicon-germanium clusters (cluster size within 2-6 atoms). Furthermore the electronic structure and various physical and chemical properties are studied. Properties useful for electronics applications, like heat of formation, ionization potentials, electron affinity, absolute hardness, electronegativity, hybridization, vibrational frequencies, fragmentation and bond dissociation energy of these silicon-germanium clusters are discussed. Thereafter, the evolution of the mixed clusters geometries with increasing germanium composition is also discussed. The most stable mixed silicon-germanium clusters are predicted for four and six atoms components and some with nuclearity equal to five such as SiGe4, Si2Ge3, and Si3Ge2.
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