Design automation to suppress cable discharge event (CDE) induced latchup in 90 nm CMOS ASICs.

• Autores: C.J. Brennan, K. Chatty, J. Sloan, P. Dunn, M. Muhammad, R. Gauthier
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 7, 2007, págs. 1069-1074
• Idioma: inglés
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