Nitrogen bonding configurations near the oxynitride/silicon interface after oxynitridation in N2O ambient of a thin SiO2 gate.

• Autores: F. Monforte, M. Camalleri, D. Cali, G. Currò, E. Fazio, F. Neri
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 822-824
• Idioma: inglés
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