Total ionizing dose reliability of thin SiO2 in PowerMOSFET devices.

• Autores: A. Cascio, G. Currò, A. Cavagnoli
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 815-818
• Idioma: inglés
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