The influence of hydrogen and nitrogen on the formation of Si nanoclusters embedded in sub-stoichiometric silicon oxide layers.

• Autores: L. Caristia, G. Nicotra, C. Bongiorno, N. Costa, S. Ravesi, S. Coffa, R.D. Bastiani, M.G. Grimaldi, C. Spinella
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 777-780
• Idioma: inglés
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