Refined electrical analysis of two charge states transition characteristic of ¿borderless¿ silicon nitride.

• Autores: G. Beylier, S. Bruyère, D. Benoit, G. Ghibaudo
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 743-747
• Idioma: inglés
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