Charge trapping characterization of MOCVD HfO2/p-Si interfaces at cryogenic temperatures.

• Autores: I.P. Tyagulskyy, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, S. Hall, O. Buiu, Y. Lu, R. Potter, P.R. Chalker
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 726-728
• Idioma: inglés
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