Tuneable electrical properties of hafnium aluminate gate dielectrics deposited by metal organic chemical vapour deposition.

• Autores: Y. Lu, O. Buiu, S. Hall, I.Z. Mitrovic, W. Davey, R.J. Potter, P.R. Chalker
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 722-725
• Idioma: inglés
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