High-K dielectric deposition in 3D architectures: The case of Ta2O5 deposited with metal¿organic precursor TBTDET.

• Autores: L. Pinzelli, M. Gross-Jean, Y. Bréchet, F. Volpi, Aurélien Bajolet, J.-C. Giraudin
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 700-703
• Idioma: inglés
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