Application of an MOS tunnel transistor for measurements of the tunneling parameters and of the parameters of electron energy relaxation in silicon.

• Autores: I.V. Grekhov, G.G. Kareva, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 669-672
• Idioma: inglés
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