Mechanism of O2-anneal induced Vfb shifts of Ru gated stacks.

• Autores: Z. Li, T. Schram, L. Pantisano, A. Stesmans, T. Conard, S. Shamuilia, V.V. Afanasiev, A. Akheyar, S. Van Elshocht, D.P. Brunco, W. Deweerd, Y. Naoki, P. Lehnen, S. De Gendt, K. De Meyer
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 518-520
• Idioma: inglés
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