Initial and PBTI-induced traps and charges in Hf-based oxides/TiN stacks.

• Autores: G. Reimbold, J. Mitard, X. Garros, C. Leroux, G. Ghibaudo, S. Kudelka
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 489-496
• Idioma: inglés
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