Determinación del ensanchamiento in homogéneo en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs por fotoluminiscencia

• Autores: R. Bertel, Gerardo Fonthal, M. de los Ríos, F. Racedo, S. Zambrano, Hernando Ariza Calderón
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 39, Nº. 1, 2007, págs. 151-154
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    Los pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs tienen un gran potencial como láseres de semiconductores, pero, rugosidad de las interfases, defectos internos, presiones localizadas o campos eléctricos locales, alteran el ancho del haz de luz láser con la consiguiente pérdida de intensidad y coherencia. Se estudió el ensanchamiento inhomogéneo en los espectros de fotoluminiscencia en una muestra de InGaAs/InAlAs. Se encontró que la presencia de defectos volumétricos y no superficiales son los responsables de la formación del ensanchamiento inhomogéneo.

  • English

    The InGaAs/InAlAs quantum wells offer a huge potential as semiconductor lasers, but factors as interface roughness, internal defects, localized pressures or local electrical fields alter the laser light beam width and consequently the loss of intensity and coherence. The inhomogeneous broadening was studied in the photoluminescence spectra in the InGaAs/InAlAs. It was found that the presence of volumetric and not superficial defects is those responsible for the formation of the inhomogeneous broadening