Conducción electrónica a través de estructuras capacitivas SrTiO3+Nb/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/Ag crecidas sobre substratos de SrTiO3 dopados con Nb

• Autores: A. Cortes, E. Delgado, P. Prieto, W. Lopera
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 39, Nº. 1, 2007, págs. 107-110
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    Se llevaron a cabo medidas de corriente voltaje a diferentes temperaturas sobre estructuras capacitivas tipo SrTiO3+Nb/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/Ag crecidas sobre substratos de SrTiO3 dopados con Nb usando la técnica de sputtering a altas presiones de oxigeno. Las medidas de conductancia revelaron un mecanismo de conducción tipo hopping a través de dos y tres estados localizados en un rango de temperaturas entre 40 K y 130K, mientras que en el rango de temperaturas entre 180 K y 385 K el modelo que mejor de adapta a los resultados es el de hopping por rango variable.

  • English

    Current as function of voltage (I-V curves) measurements at different temperatures were carried out in SrTiO3+Nb/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/Ag capacitor structures grown on (100) SrTiO3 Nb-doped substrates using a high-oxygen pressure on axis sputtering technique. Conductance measurements revealed a hopping mechanism of conduction through 2 or 3 localized states in the range of temperatures between 40 K and 130 K. By the other hand, in the range of temperatures between 180 K and 385 K, our results fit very well with the variable range hopping (VRH) model.