Características estructurales de algunas configuraciones cristalinas del silicio - efectos de la presión

• Autores: C.P. Mejía, R. Cardona, Jairo Arbey Rodríguez Martínez, F. Fajardo
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 39, Nº. 1, 2007, págs. 75-78
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    Se presentan algunas propiedades estructurales y electrónicas del Si en tres de sus posibles configuraciones cristalinas: diamante, cúbica simple (sc) y ß-Sn. Se calcula mediante el empleo de la Teoría del Funcional Densidad la curva de la energía de cohesión en función del volumen para las diferentes estructuras y se hace el ajuste mediante la ecuación de estado de Murnaghan para obtener las constantes de red óptimas. De las curvas de entalpía contra presión se encuentra que la transición más probable es de la estructura de diamante a la fase ß-Sn del Si, lo cual ocurre alrededor de 10.1 GPa. Los diagramas de bandas muestran que las estructuras ß-Sn y sc del Silicio tienen un comportamiento conductor.

  • English

    We present some structural and electronic properties of Si in three of its possible crystalline configurations: diamond, simple cubic (sc) and ß-Sn. Using the Density Functional Theory (DFT) we calculated the cohesion energy as a function of volume for the different structures. An adjustment by Murnaghan state equation is made to obtain the optimal lattice constants. Enthalpy curves in function of pressure evidence that the most probable phase transition on Si is from the diamond structure to ß-Sn, which take place around 10.1 GPa. Bands energy diagrams show that the ß-Sn and sc structures of Si correspond to a conductor.