Resumen de Obtención y caracterización de nuevas películas delgadas ferroeléctricas

C. Ostos, M. L. Martínez Sarrión, L. Mestres, P. Prieto, Alejandra Cortés Silva, E. Delgado

• español

  En este trabajo se crecieron distintas películas delgadas del tipo Ba0.90La0.067Ti0.91Zr0.09O3 (BLZT) por la técnica de magnetron sputtering de radio-frecuencia (RF) a alta presión de O2 con una tem-peratura de substrato de 600°C. La estructura cristalina de las películas se analizó mediante difrac-ción de rayos-X mostrando los máximos de difracción correspondientes a una orientación prefe-rencial en la dirección (00l) para el BLZT. Por microscopía de fuerza atómica se evidenció el cre-cimiento de películas homogéneas con un valor de rugosidad promedio de 4.25 Å para el sustrato de SrTiO3.Nb y de 12.3 Å para el sustrato de Pt/TiO2/SiO2/Si. Para la caracterización ferroeléctrica se utilizaron estructuras de capacitor con Ag como electrodo superior y el respectivo substrato co-mo elecrodo inferior. Mediante el sistema de la Radiant Technologies RT66A se obtuvieron curvas de histéresis de polarización- campo eléctrico (P-E) para los distintos capacitores. Los resultados mostraron que las películas delgadas de BLZT presentan un comportamiento ferroeléctrico.

• English

  In this work several thin films of Ba0.90La0.067Ti0.91Zr0.09O3 (BLZT) were grown by RF-magnetron sputtering at oxygen background high pressure at 873 K substrate temperature. The thin films crystalline structure was determined by X-ray diffraction showing the BLZT main peaks corres-ponding to (00l) preferential orientation. By atomic force microscopy was showed thin film homo-geneous surfaces with an average roughness of 4.25 Å for SrTiO3.Nb substrate and 12.3 Å for Pt/TiO2/SiO2/Si substrate. The ferroelectric measurements were made on capacitor structures with Ag as top electrode and the corresponding substrate as bottom electrode. By mean of Radiant Technologies System RT66A, hysteresis loops of electric field ¿ polarization (E-P) were obtained for each capacitor. The results showed a ferroelectric behavior for BLZT thin films.