Low voltage stress induced leakage current and time to breakdown in ultra-thin (1.2¿2.3 nm) oxides.

• Autores: C. Petit, D. Zander
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 401-408
• Idioma: inglés
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