A new two-dimensional threshold voltage model for cylindrical, fully-depleted, surrounding-gate (SG) MOSFETs.

• Autores: T.K. Chiang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 379-383
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)