Organic thin film transistors with HfO2 high-k gate dielectric grown by anodic oxidation or deposited by sol¿gel.

• Autores: J. Tardy, M. Erouel, A.L. Deman, A. Gagnaire, V. Teodorescu, M.G. Blanchin, B. Canut, A. Barau, M. Zaharescu
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 372-378
• Idioma: inglés
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