A constitutive single crystal model for the silicon mechanical behavior: Applications to the stress induced by silicided lines and STI in MOS technologies.

• Autores: F. Cacho, S. Orain, G. Cailletaud, H. Jaouen
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 161-167
• Idioma: inglés
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