Characterization and modeling of flicker noise in junction field-effect transistor with source and drain trench isolation.

• Autores: Y. Fu, H. Wong, J.J. Liou
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 1, 2007, págs. 46-50
• Idioma: inglés
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